Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
53A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.3V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 25A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15.2 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060
Рассеиваемая мощность (максимальная)
48W (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
875 pF @ 30 V