Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поставщик Устройство Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
130A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
178 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
227W (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
11266 pF @ 20 V