Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
115 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
180A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7400 pF @ 20 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB (H)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
312W (Tj)