Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-223
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24.6 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.9W (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1369 pF @ 50 V