MCT06P10HE3-TP
MCT06P10HE3-TP
MCT06P10HE3-TP
Номер детали:
MCT06P10HE3-TP
Категория:
-
Производитель:
Описание:
P-CHANNEL MOSFET,SOT-223
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 2500
Кол-во
Цена
Итого
2500+
$0.36
$900
5000+
$0.33
$1650
7500+
$0.32
$2400
12500+
$0.3
$3750
17500+
$0.3
$5250
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-223
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24.6 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.9W (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1369 pF @ 50 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-