Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
150°C (TJ)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10.2 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
338 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
35W (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.2Ohm @ 1A, 10V