Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
500 V
Рабочая температура
150°C (TJ)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12.8 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
75W (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
537.5 pF @ 25 V