Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
29 nC @ 10 V
Рабочая температура
150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 30A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1030 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
65W (Ta)