Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
150°C (TJ)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1090 pF @ 25 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
20.7 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W (Ta)