Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
54 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
80A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2504 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
44W (Ta)