MIUZ100R12GJTL-BP
MIUZ100R12GJTL-BP
MIUZ100R12GJTL-BP
Номер детали:
MIUZ100R12GJTL-BP
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IGBT MODULES,GJ
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
25
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$38.6
$38.6
25+
$25.94
$648.5
100+
$25.29
$2529
Статус детали
Active
Тип монтажа
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус
-
Конфигурация
Single
Корпус
Module
IGBT Тип
-
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
1200 V
Ток отсечки коллектора (макс.)
1 mA
输入
Standard
NTC Термистор
No
Ток коллектора (Ic) (макс.)
100 A
Рабочая температура
175°C (TJ)
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 100A
Мощность - Максимальная
535 W
Входная емкость (Cies) при Vce
5800 pF @ 25 V
Новейшие продукты
GTSM20N065
Bruckewell
IGBT WITH SBD, 650V, 20A, SOT-22
CMSG120N013MDG
Bruckewell
SIC MOSFET WITH IGBT,1200V,SOT-2
GTSM40N065D
Bruckewell
IGBT WITH SBD, 650V, 40A, SOT-22
F3L400R10N3S7FC1BPSA1
Infineon Technologies
F3L400R10N3S7FC1BPSA1
F3L600R10N3S7FBPSA1
Infineon Technologies
F3L600R10N3S7FBPSA1
NXH600N105H7F5S1HG
onsemi
IGBT MODULE, I-TYPE NPC 1050 V,
NXH600N105L7F5S1HG
onsemi
IGBT MODULE, I-TYPE NPC 1050 V,
MIUZ100R12GJTL-BP
MCC (Micro Commercial Components)
IGBT MODULES,GJ