Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
42A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060-8