Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.3V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060-8