Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Поставщик Устройство Корпус
TO-220
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
40A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
35mOhm @ 40A, 10V