MXP120A080FE-T1GE3
Номер детали:
MXP120A080FE-T1GE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC MOSFET
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1600
Кол-во
Цена
Итого
1600+
$5.61
$8976
Статус детали
Active
Поставщик Устройство Корпус
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
-
Корпус
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
140W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.69V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
47.3 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1156 pF @ 800 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код