Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
181 nC @ 10 V
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Тип монтажа
Surface Mount, Wettable Flank
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.9W (Ta), 200W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
52A (Ta), 370A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
12168 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 50A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)