Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
6 nC @ 4.5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус
TO-236AB
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
380 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
400mW (Ta), 2.8W (Tc)