Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
68A
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 7.5mA (Typ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
254W