P3M06060G7
Номер детали:
P3M06060G7
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
D2PAK-7
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
159W
Vgs (макс.)
+20V, -8V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
44A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 20mA (Typ)
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код