P3M06060T3
P3M06060T3
P3M06060T3
Номер детали:
P3M06060T3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SICFET N-CH 650V 46A TO220-3
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
TO-220-2
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-220-2L
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
46A
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
170W
Vgs (макс.)
+20V, -8V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 20mA (Typ)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-