Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A
Поставщик Устройство Корпус
TO-220-2L
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
75W
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.6Ohm @ 600mA, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 600µA (Typ)