Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
190 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
9400 pF @ 25 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060-8
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
19A (Ta), 120A (Tc)