Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss)
120 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
70A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
207.1 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
11384 pF @ 60 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
405W (Ta)