QS65SCM65D2P
QS65SCM65D2P
QS65SCM65D2P
Номер детали:
QS65SCM65D2P
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650v 65amp SiC Mosfet D2PAK
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
980
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$11.24
$11.24
10+
$10.44
$104.4
250+
$10.15
$2537.5
500+
$9.52
$4760
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (макс.) при Id
5V @ 8mA
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
65A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
294W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
105 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
70mOhm @ 25A, 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1946 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус
D2PAK-7L
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-