Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
62W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17.7 nC @ 10 V
Рабочая температура
175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
40A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 600µA
Поставщик Устройство Корпус
DFN3333T8LSAB
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1140 pF @ 20 V