RH7G04DBKFRATCB
RH7G04DBKFRATCB
RH7G04DBKFRATCB
Номер детали:
RH7G04DBKFRATCB
Категория:
-
Производитель:
Описание:
NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.14
$1.14
10+
$0.72
$7.2
100+
$0.47
$47
500+
$0.36
$180
1000+
$0.33
$330
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
40A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
33W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Корпус
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 200µA
Поставщик Устройство Корпус
DFN3333T8LSAB
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
12.6mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
345 pF @ 20 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-