Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
6.8 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
33W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
35A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
375 pF @ 30 V
Поставщик Устройство Корпус
DFN3333T8LSAB
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
26.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 70µA