Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.5 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
30mOhm @ 12A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-HSMT (3.2x3)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
440 pF @ 30 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 193µA