Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
700mW (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 1mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Поставщик Устройство Корпус
TSMT3
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16.8 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
820 pF @ 20 V