S3M0016120D
Номер детали:
S3M0016120D
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$19.13
$19.13
10+
$13.59
$135.9
300+
$10.39
$3117
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-247-3
Поставщик Устройство Корпус
TO-247AD
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
120A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 30mA
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
23mOhm @ 75A, 18V
Vgs (макс.)
+18V, -4V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
287 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5251 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
732W (Tc)
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код