S3M0025120B
Номер детали:
S3M0025120B
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$13.83
$13.83
10+
$9.64
$96.4
100+
$7.27
$727
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
73A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 20mA
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
394W (Tc)
Vgs (макс.)
+18V, -4V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
32mOhm @ 48A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
175 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3519 pF @ 1000 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код