Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.3V @ 1mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.5V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
405 pF @ 6 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
84mOhm @ 1.5A, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-563/SCH6