Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12.5 nC @ 4.5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1204 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
930mW (Tj)