SICBG040N120H-TP
Номер детали:
SICBG040N120H-TP
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 800
Кол-во
Цена
Итого
800+
$10.59
$8472.01
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
55A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
250W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7LA
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 40mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
229 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3619 pF @ 800 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код