Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
51A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
100 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
245W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
HU3PAK
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25.5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4680 pF @ 400 V