TP65H015G5WS
Номер детали:
TP65H015G5WS
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650 V 95 A GAN FET
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
2105
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$35.48
$35.48
30+
$23.77
$713.1
120+
$23.65
$2838
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-247-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
93A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
100 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
266W (Tc)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 2mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5218 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код