TP65H035G4WSQA
Номер детали:
TP65H035G4WSQA
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650 V 46.5 GAN FET
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1643
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$22.13
$22.13
30+
$13.92
$417.6
120+
$13.32
$1598.4
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
22 nC @ 10 V
Корпус
TO-247-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (максимальная)
187W (Tc)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 1mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
47.2A (Tc)
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код