TP65H050G4BS
Номер детали:
TP65H050G4BS
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650 V 34 A GAN FET
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
543
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$15.82
$15.82
50+
$9.1
$455
100+
$8.45
$845
500+
$8.13
$4065
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24 nC @ 10 V
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
34A (Tc)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
119W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 700µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1000 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код