TP65H070G4PS
Номер детали:
TP65H070G4PS
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
2857
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$10.81
$10.81
50+
$9.81
$490.5
100+
$5.53
$553
500+
$4.95
$2475
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Корпус
TO-220-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
29A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
96W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
9 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
4.7V @ 700µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
638 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код