TP65H100G4PS
Номер детали:
TP65H100G4PS
Категория:
-
Производитель:
Описание:
Hi Volt FETs
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
242
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$8.65
$8.65
10+
$5.87
$58.7
450+
$3.69
$1660.5
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Корпус
TO-220-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
14.4 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
65.8W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
18.9A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
4.1V @ 1.8mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
818 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код