TP65H150BG4JSG-TR
Номер детали:
TP65H150BG4JSG-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
3635
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$5.54
$5.54
10+
$3.68
$36.8
100+
$2.62
$262
500+
$2.49
$1245
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
16A (Tc)
Vgs (макс.)
±10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
83W (Tc)
Корпус
8-PowerTDFN
Поставщик Устройство Корпус
8-PQFN (5x6)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.9 nC @ 10 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.8V @ 500µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
400 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код