TP65H480G4JSGB-TR
Номер детали:
TP65H480G4JSGB-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
5466
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$3.78
$3.78
10+
$1.93
$19.3
100+
$1.65
$165
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (макс.)
±10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.6A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5 nC @ 10 V
Корпус
8-PowerTDFN
Поставщик Устройство Корпус
8-PQFN (5x6)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.8V @ 500µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
13.2W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3A, 6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
414 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код