Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
1.4V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
750 pF @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.4W