WI71060TR
Номер детали:
WI71060TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
2498
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$7.77
$7.77
10+
$5.98
$59.8
25+
$5.54
$138.5
100+
$5.05
$505
250+
$4.82
$1205
500+
$4.68
$2340
1000+
$4.56
$4560
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
700 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tj)
Корпус
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (макс.) при Id
1.5V @ 10mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Поставщик Устройство Корпус
8-PDFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2A, 6V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
216 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код