Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5W (Ta), 69W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (5x6)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
68.8 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
17.7A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 12A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2720 pF @ 80 V