XP231P02013R-G
XP231P02013R-G
XP231P02013R-G
Номер детали:
XP231P02013R-G
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
2915
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$0.26
$0.26
10+
$0.18
$1.8
100+
$0.09
$9
500+
$0.08
$40
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
350mW (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Vgs (макс.)
±8V
Корпус
SC-70, SOT-323
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
200mA (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
34 pF @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-323-3A
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-