Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
350mW (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
200mA (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
34 pF @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-323-3A