Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
450mA (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
400mW (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
56 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 200mA, 4.5V