Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
400mW (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
230 pF @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.1 nC @ 6 V