Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
120 nC @ 4.5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5W (Ta), 104W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (5x6)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Ta), 100A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
11680 pF @ 15 V