Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1760 pF @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
13.7A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (3x3)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.57W (Ta)