Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
10A (Tc)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28.8 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
380mOhm @ 2.8A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1016 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta), 69.4W (Tc)